- 新聞中心
- news Center
- 聯(lián)系我們
- Contact Us
蘇州納樸材料科技有限公司
- 聯(lián)系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手機:
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 郵箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 技術聯(lián)系人:
徐先生
- Technical Contact:
Mr. Xu
- 手機:
18914050103(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18914050103
(WeChat ID)
- 郵箱:
- E-mail:
nanopure@qq.com
- 辦公室地址:
蘇州市相城區(qū)聚茂街185號D棟11層1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工廠地址:
江西省吉安市井岡山經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
上海微系統(tǒng)所在六方氮化硼的微觀結構及應用研究中取得進展
信息來源:本站 | 發(fā)布日期: 2019-06-29 13:16:09 | 瀏覽量:960350
6月27日,中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室在《自然-通訊》雜志上在線發(fā)表了題為“利用等離子體處理將氫分離到六方氮化硼夾層氣泡中” (Isolating hydrogen in hexagonal boron nitride bubbles by a plasma treatment)的論文。該論文首…
h-BN是一種具有極高熱學和化學穩(wěn)定性的寬帶隙二維原子晶體。與石墨烯類似,單層h-BN具有六角蜂窩網(wǎng)狀晶格結構和原子級平整的表面。多層h-BN的層與層之間依靠范德華力結合。上海微系統(tǒng)所研究人員發(fā)現(xiàn)如果將h-BN晶體置于氫氣等離子體中處理,其表面會形成微米級大小可控的氣泡。進一步測量發(fā)現(xiàn)h-BN晶體的層間堆疊形式以AA’方式為主,這種堆疊方式具有多孔對齊的特點。氫氣進入等離子體狀態(tài)后會產(chǎn)生大量的氫原子,這些氫原子可以克服h-BN電子云的阻擋,無損地穿透多層h-BN,并在其層間間隔處復合成為氫氣分子。由于二維h-BN能阻擋氣體分子通過,氫氣最終被限制在h-BN層間間隔處并最終形成氣泡。研究人員還發(fā)現(xiàn)采用這種等離子體工藝能夠成功將氫分子從氬氫混合氣中分離到h-BN夾層中形成氣泡,甚至可以從甲烷或者乙炔等碳氫化合物氣體中提取分離出氫氣。
研究人員還采用了一臺低溫原子力顯微鏡對h-BN表面氣泡進行了測量,發(fā)現(xiàn)原先飽滿的氣泡在溫度從34 K降至33 K的瞬間會突然消失,這一塌縮/膨脹過程可隨降溫/升溫過程反復出現(xiàn)。該轉變溫度與氫氣的液化溫度點(33.18 K)一致,也間接證明了h-BN氣泡中確為氫氣。
該研究工作成功利用了h-BN的特殊微觀結構實現(xiàn)對氫元素的分離、提取及存儲,同時可控的微米級氣泡制備工藝也為基于二維原子晶體的微納機電器件及力學研究提供了全新的方案。
該研究工作由中科院上海微系統(tǒng)所王浩敏研究員課題組,華中科技大學張道禮教授課題組,奧地利維也納大學Jannik Meyer教授課題組,日本國家材料科學研究所Takashi Taniguchi教授課題組及東南大學倪振華教授課題組合作完成。工作獲得了國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金面上項目、中國科學院先導B類和上海市自然科學基金的資助。論文的第一作者賀立為上海微系統(tǒng)所與華中科技大學聯(lián)合培養(yǎng)的博士研究生,王浩敏研究員與張道禮教授為共同通訊作者。
-
2024-11-15 09:55:56
電子產(chǎn)品越來越輕薄、越來越高效,但有一個問題始終困擾著工程師們,那就是——散熱。想象一下,你的手機芯片堆疊得像摩天大樓一樣,卻只能靠小風扇來“…
-
2024-11-15 09:50:42
正文六方氮化硼納米片(BNNS)具有優(yōu)異的導熱和介電性能,基于BNNS的納米復合材料在能量存儲和轉換、電介質和電絕緣以及熱管理等領域表現(xiàn)出很好的應用前…
-
2024-11-07 13:22:08
高質量六方氮化硼(hBN)單晶因具有優(yōu)異的物理化學特性 ,包括原子級平坦表面、寬帶隙(~ 5.9 eV)、高絕緣、高面內熱導率以及化學惰性等,被作為襯底和…
-
2024-10-31 11:10:44
電子產(chǎn)品越來越輕薄、越來越高效,但有一個問題始終困擾著工程師們,那就是——散熱。想象一下,你的手機芯片堆疊得像摩天大樓一樣,卻只能靠小風扇來“…
-
2024-10-24 11:59:53
英國科學家破解室溫下量子信息存儲難題】劍橋大學卡文迪許實驗室的研究團隊在層狀二維材料六方氮化硼中發(fā)現(xiàn)關鍵的“單原子缺陷”,能在室溫條件下使量子…
-
2024-10-15 09:49:51
常見的六方相氮化硼(hBN)因化學穩(wěn)定、導熱性能好以及表面無懸掛鍵原子級平整等特點,被視為理想的寬帶隙二維介質材料。菱方相氮化硼(rBN)可以保持h…