注：在未來的后摩爾時代里，各國之間勢必要爭奪半導體材料研發(fā)的新領域，新材料，新應用，將帶給行業(yè)不斷的活力。而臺積電研發(fā)出的氮化硼材料，正是為這個時代開啟大門的一把鑰匙，為未來百花齊放的時代打下基礎，也是半導體制程的一個里程碑近日，臺灣交通大學聯(lián)手臺積電成功研制出了一種全球最薄、厚度只有0.7納米的基于氮化硼（簡稱BM)的超薄二維半導體絕緣材料，這種材料可讓芯片業(yè)界突破現(xiàn)有的工藝達到1nm的程度，該成果已經(jīng)發(fā)表在了最新的一期自然期刊上。這對于中國芯片的業(yè)界來說，絕對是一個好消息，雖然目前中國已經(jīng)能夠量產(chǎn)14nm的芯片了，14nm的芯片也占到了目前為止市面以上的6成，這意味著具有生產(chǎn)14nm以上的能力就已經(jīng)具備了芯片生產(chǎn)的基本能力。但是14nm的生產(chǎn)技術放在當今世界上是遠遠不足夠的，畢竟中國現(xiàn)在是世界上消耗芯片最多的國家，但是只有中芯國際具有14nm的生產(chǎn)技術，但像其他公司已經(jīng)具有了7nm甚至5nm的生產(chǎn)技術，我們不應該站在14nm的進度上觀望。

      臺積電處長李連忠表示，交大的化學實驗室團隊跟臺積電的技術人員通過不斷的突破和技術研究，雖然最近還無法說明量產(chǎn)時間，但雙方已經(jīng)成功地讓新材料生長的銅上作為一個保護半導體材料的通道。目前為止這種材料還有很多地方需要優(yōu)化，例如元件優(yōu)化和金屬接觸，但是我們也很有時間和決心來等待這個半導體材料的里程碑。氮化硼材料是一種出色的絕緣體，能夠很好地隔絕金屬，但氮化硼材料也并非是最近研發(fā)的新材料。憑借著氮化硼優(yōu)秀的絕緣體性能，臺積電將在制程工藝上更進一步。但當臺積電將腳步邁的更遠得時候，也是需要付出一些代價的，因為這種材料并不適配于臺積電的最新技術，例如5nm工藝材料的芯片。因為像5nm之前的工藝材料都是一些氧化物的絕緣體，很容易讓一些電子黏在上面從而導致電流的不易通過，造成芯片難以運行。

      總而言之，今年來的技術不斷發(fā)展，讓人認為摩爾定律已經(jīng)不管用了，但臺積電的發(fā)明又推進了摩爾定律的發(fā)展。在科學理論上，一旦材料的制程低于5nm，那么這種材料就將處于一個量子領域，晶體管之間將變得非常不穩(wěn)定，及其容易發(fā)生隧穿效應。在未來的后摩爾時代里，各國之間勢必要爭奪半導體材料研發(fā)的新領域，新材料，新應用，新領域，將帶給行業(yè)不斷的活力。而臺積電研發(fā)出的氮化硼材料，正是為這個時代開啟大門的一把鑰匙，為未來百花齊放的時代打下基礎，也是半導體制程的一個里程碑。